金刚石材料具有自然界物质中最高的热导率（高达2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成电路等小型化高功率领域的散热均有重要的应用潜力。特别是面向高功率密度GaN HMET的散热管理需求，金刚石材料被视为GaN HEMT功率器件热扩散材料的最佳选择，有望改善其“自热效应”，实现高频、高功率的应用。金刚石-GaN材料制备、结构设计、器件制备和热电等特性测试已成为凝聚态物理、材料科学、表面/界面科学与半导体等领域的交叉研究热点。 山东大学新一代半导体材料研究院徐现刚、彭燕、胡秀飞、葛磊等

早稻田大学和 Power Diamonds Systems (PDS) 开发了一种结构，其中金刚石表面覆盖有氧化硅终端（C-Si-O 终端），当栅极电压为 0V 时，该结构会关闭晶体管。为此他们宣布开发出一种“常关”金刚石 MOSFET。 该成果由Hiroshi Kawarada教授、FU Yu、Norito Narita、Xiahua Zhu、早稻田大学兼职教授Atsushi Hiraiwa、PDS的Kosuke Ota、PDS联合创始人兼首席执行官Tatsuya Fujishima等人贡献